- Durchlasswiderstand
- сущ.
1) электр. прямое сопротивление, прямое сопротивление перехода2) микроэл. пропускное сопротивление
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
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DMOS — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… … Deutsch Wikipedia
Leistungs-MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (englisch power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der… … Deutsch Wikipedia
Power MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… … Deutsch Wikipedia
Thermal Runaway — Thermisches Durchgehen bezeichnet die Überhitzung einer exothermen chemischen Reaktion oder einer technischen Apparatur aufgrund eines sich selbst verstärkenden, Wärme produzierenden Prozesses. Ein Durchgehen bewirkt in der Regel eine Zerstörung… … Deutsch Wikipedia
Thermisches Durchgehen — ist der Spezialfall des Durchgehens (engl. runaway) in Bezug auf Temperatur und bezeichnet die Überhitzung einer exothermen chemischen Reaktion oder einer technischen Apparatur aufgrund eines sich selbst verstärkenden, Wärme produzierenden… … Deutsch Wikipedia
Wärmedurchlasskoeffizient — h, auch Wärmedurchlasszahl, ist ein Maß für den Durchgang Wärmemenge durch eine homogene Materialschicht bestimmter Stärke, wenn beiden Seiten eine Temperaturdifferenz von 1 Kelvin aufweisen. Der Wärmedurchlasskoeffizient in W/(m²·K) ist eine… … Deutsch Wikipedia
Wärmedurchlasswiderstand — Der Wärmedurchlasswiderstand R (früher 1/Λ) ist der Widerstand, den ein homogenes Bauteil oder bei mehrschichtigen Bauteilen eine homogene Bauteilschicht dem Wärmestrom bei einer Temperaturdifferenz von 1 Kelvin auf einer Fläche von… … Deutsch Wikipedia
Analogschalter — Serienschalter mit JFET Serienschalter mit JFET und vereinfachter Ansteuerung … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia